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承制方應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)的要求制訂、執(zhí)行和提供ESD?控制大綱。表1中適用的控制大綱功能?和要素也應(yīng)用在轉(zhuǎn)承制方和其他有關(guān)機(jī)構(gòu)，以便為ESDS?元器件、組件和設(shè)備提供連續(xù)的保?護(hù)。

5??詳細(xì)要求

5.1 ????ESD?控制大綱計(jì)劃

承制方應(yīng)按合同或訂單要求提交一份適用的ESD?控制大綱計(jì)劃供訂購(gòu)方認(rèn)可。

5.1.1??????轉(zhuǎn)承制方ESD?的控制

承制方應(yīng)保證轉(zhuǎn)承制方制訂并執(zhí)行ESD?控制大綱。

5.2???ESDS元器件、組件和設(shè)備的分級(jí)

承制方應(yīng)將合同中的?ESDS?元器件、組件和設(shè)備標(biāo)明1級(jí)或2級(jí)，高可靠或關(guān)鍵設(shè)備的元?器件和組件，應(yīng)標(biāo)明3級(jí)。

5.2.1??敏感度分級(jí)

1級(jí)：易遭按5.2.1.1確定的0～1999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。

2 級(jí)：易遭按5.2.1.1確定的2000～3999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。

3級(jí)：易遭按5.2.1.1確定的4000～15999V??ESD?電壓危害的電子產(chǎn)品。

注：在本標(biāo)準(zhǔn)里，元器件、組件和設(shè)備的ESD?敏感電壓為16000V?或以上者，認(rèn)為是非靜電敏感產(chǎn)品。

5.2.1.1??元器件分級(jí)

元器件的?ESD?敏感度分級(jí)應(yīng)按下列方法之一確定；

按相應(yīng)的元器件規(guī)范中規(guī)定的ESD敏感度；
按附錄B(參考件)分級(jí)；
當(dāng)另有規(guī)定，或承制方有選擇時(shí)，由附錄A(補(bǔ)充件)的試驗(yàn)確定敏感度，ESD敏感度試?驗(yàn)報(bào)告應(yīng)符合合同或訂單要求。

5.2.1.2 ?元器件重新分級(jí)

分級(jí)方法應(yīng)寫(xiě)入?ESD?控制大綱計(jì)劃，元器件的敏感度比附錄B(參考件)指出的要低時(shí)，?應(yīng)按5.2.1.1的a?或?c?重新分級(jí)。

5.3??設(shè)計(jì)保護(hù)

組件和設(shè)備的設(shè)計(jì)應(yīng)能為最敏感的ESD?元器件提供ESI)?保護(hù)。其最低要求是：

組件-??2000V

設(shè)備……4000V

5.3.1 ?元器件和組件的保護(hù)

必須用1級(jí)ESDS?元器件時(shí)，組件應(yīng)接入保護(hù)線路，以滿足5.3的設(shè)計(jì)要求。

5.3.2 ?設(shè)備保護(hù)

用于滿足設(shè)計(jì)規(guī)定要求的試驗(yàn)方法或分析技術(shù)應(yīng)得到訂購(gòu)方的同意。

5.4??保護(hù)區(qū)

操作無(wú)ESD?保護(hù)罩或包裝的ESDS?元器件、組件或設(shè)備應(yīng)在保護(hù)區(qū)里按照ESD?保護(hù)操?作程序(見(jiàn)5.5)進(jìn)行；若不可能在保護(hù)區(qū)里操作時(shí)，應(yīng)采用詳細(xì)的替代操作措施和程序或該操?作區(qū)內(nèi)的靜電電壓應(yīng)低干按5.2.1.1確定的相應(yīng)產(chǎn)品敏感的最低電壓。

保護(hù)區(qū)要掛有標(biāo)明靜電安全工作區(qū)的警示牌，未采取防靜電保護(hù)的人員不得進(jìn)入。

5.5??操作程序

應(yīng)該研究、制訂和執(zhí)行ESD?保護(hù)的操作程序。程序的詳細(xì)要求取決于保護(hù)區(qū)提供的控制?程度，保護(hù)區(qū)為防靜電放電危害提供的保護(hù)程度越低，程序應(yīng)越詳細(xì)。操作程序應(yīng)按合同或訂?單的要求提供。

5.5.1 ?設(shè)備的安裝和貯存

設(shè)備的安裝和貯存要求如下：

??設(shè)備安裝前。要求保持ESI)保護(hù)罩或包裝原封不動(dòng)；
?設(shè)備外部端口和連接器上的ESI)保護(hù)罩或帽應(yīng)該直到安裝時(shí)才拆去；
將不通電的連接器、電纜連接到與ESDS產(chǎn)品相連的插座之前，連接器的插頭和電纜?屏蔽線(連接器外殼)應(yīng)該接地以釋放所有的靜電電荷。接于?ESDS?產(chǎn)品端點(diǎn)的電纜應(yīng)該作為?ESIDS?產(chǎn)品按5.5來(lái)操作。

5.6??保護(hù)罩

ESDS?元器件、組件處于不工作狀態(tài)或保護(hù)區(qū)外時(shí)，應(yīng)該用ESID保護(hù)罩或包裝把他們封?閉起來(lái)?.ESDS?產(chǎn)品的保護(hù)罩應(yīng)該符合5.10的要求。

5.7??訓(xùn)練

對(duì)所有執(zhí)行或監(jiān)督表1中所列內(nèi)容的人員應(yīng)該經(jīng)常進(jìn)行訓(xùn)練。人員的訓(xùn)練記錄應(yīng)提供給

訂購(gòu)方或其指定的現(xiàn)場(chǎng)檢查代表。

5.8??硬件的標(biāo)志

5.8.1??元器件

ESDS?微電路的標(biāo)志應(yīng)符合GJB ??597,其他?ESDS?元器件的標(biāo)志應(yīng)符合有關(guān)產(chǎn)品規(guī)范的規(guī) 定。

5.8.2??組作

ESDS?組件應(yīng)按圖1標(biāo)志。符號(hào)應(yīng)標(biāo)在將它裝入下一個(gè)較高層次的組件時(shí)容易看見(jiàn)的位?4?置上，由于組件的尺寸或方向不能滿足這一要求時(shí)，訂購(gòu)方應(yīng)該同時(shí)研究和采用替代的

標(biāo)志方式。

圖 1 ?靜電敏感符號(hào)

5.8.3??設(shè)備

含有ESDS?元器件和組件的設(shè)備按圖1標(biāo)志，符號(hào)應(yīng)標(biāo)在設(shè)備的外表面，而且在人員接觸設(shè)備內(nèi)的ESDS?元器件、組件前容易看到：并將“含有靜電放電敏感元器件”的警句標(biāo)在圖1所?示符號(hào)旁邊。

5.8.3.1??設(shè)備外部端口

靜電敏感符號(hào)(圖1所示)應(yīng)標(biāo)在設(shè)備外表面上內(nèi)連ESDS?元器件和組件的端口附近。

5.9??文件

5.9.1??交付文件

交付使用的文件上應(yīng)將1、2或3級(jí)ESDS?元器件、組件和設(shè)備及連接?ESDS?元器件、組件?的連接器、試驗(yàn)點(diǎn)、端口都標(biāo)上“ESDS”?字樣或圖1所示符號(hào)。文件一般應(yīng)包括成文的ESD?保?護(hù)程序。

5.9.2??可不交付文件

承制方用于執(zhí)行?ESD?控制大綱的可不交付文件上，應(yīng)將1、2或3級(jí)ESDS?元器件、組件?和設(shè)備都標(biāo)上“ESDS”字樣或圖1所示符號(hào)，可用明確的分級(jí)數(shù)據(jù)代替識(shí)別標(biāo)志。

5.10??包裝和標(biāo)志

ESDS?產(chǎn)品的ESD?保護(hù)包裝應(yīng)按產(chǎn)品規(guī)范或相應(yīng)的產(chǎn)品包裝規(guī)范進(jìn)行包裝。另外，與設(shè)?備內(nèi)的?ESDS?元器件、組件相連的設(shè)備外部端口應(yīng)使用ESD?保護(hù)帽。

外包裝箱上應(yīng)標(biāo)上圖1所示符號(hào)，并標(biāo)上“注意：敏感電子元器件，儲(chǔ)運(yùn)中，切勿靠近強(qiáng)靜?電、強(qiáng)電磁、磁場(chǎng)或放射場(chǎng)”的警句。

5.11??質(zhì)量保證規(guī)定

為保證符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，承制方應(yīng)制訂質(zhì)量保證文件，其條款中還應(yīng)包括對(duì)轉(zhuǎn)承制方、?銷(xiāo)售方執(zhí)行ESD?保護(hù)要求進(jìn)行監(jiān)督和審查。

5.11.1??內(nèi)部質(zhì)量記錄

承制方應(yīng)該具有并保留每一項(xiàng)質(zhì)量評(píng)價(jià)的內(nèi)部記錄，以確保與ESD?控制大綱一致。這些?記錄應(yīng)說(shuō)明評(píng)價(jià)日期、參加者、評(píng)價(jià)項(xiàng)目、評(píng)價(jià)目標(biāo)(目的)、檢查出的問(wèn)題以及有關(guān)建議和糾正?措施。

5.11.2??內(nèi)部質(zhì)量報(bào)告

承制方應(yīng)該具有按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行的質(zhì)量評(píng)價(jià)結(jié)論和建議的內(nèi)部報(bào)告。質(zhì)量評(píng)價(jià)報(bào)告應(yīng)?說(shuō)明進(jìn)行的活動(dòng)，檢測(cè)出的問(wèn)題、必要的糾正措施、對(duì)出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題的分析以及改進(jìn)建議。

5.12??評(píng)審和檢查

承制方應(yīng)該對(duì)5.12.1和5.12.2中各項(xiàng)進(jìn)行評(píng)估，為正式評(píng)審和檢查作好計(jì)劃和準(zhǔn)備工?作，并確保要求的文件齊全。當(dāng)需要確定是否與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求相符時(shí)，訂購(gòu)方有權(quán)檢查、評(píng)?審本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的文件。承制方擬定的設(shè)計(jì)評(píng)審和計(jì)劃實(shí)施的評(píng)審都應(yīng)包括ESD?控制大綱要?求。訂購(gòu)方或其指定代表可選擇參加評(píng)審。根據(jù)要求，在承制方認(rèn)為方便時(shí)，可提供評(píng)審和檢?查記錄。

5.12.1??設(shè)計(jì)評(píng)審

評(píng)審時(shí)，應(yīng)提供與ESD?控制大綱有關(guān)的設(shè)計(jì)決策，它應(yīng)包括：

a.1?、2?級(jí)?或?3?級(jí)ESDS?元器件、組件和設(shè)備以及ESDS?外部端口(見(jiàn)5.2.1和5.9)的鑒?定?；

組件和設(shè)備的分級(jí)電路分析結(jié)果(見(jiàn)5.3.2);
組件(見(jiàn)5.3.1)、設(shè)備連接器、端口以及測(cè)試點(diǎn)(見(jiàn)5.3.2)的保護(hù)電路；
包括編入保護(hù)操作程序的文件的標(biāo)志(見(jiàn)5.9);
硬件的標(biāo)志(見(jiàn)5.8);
為滿足本標(biāo)準(zhǔn)要求所存在的問(wèn)題、對(duì)該類(lèi)問(wèn)題的綜合分析以及采取措施的建議；
元器件的選擇、分級(jí)方法和原理。

5.12.2??計(jì)劃實(shí)施的評(píng)審

按下述內(nèi)容進(jìn)行評(píng)審：

a.ESD???控制大綱計(jì)劃的執(zhí)行(見(jiàn)5.1);

保護(hù)區(qū)的總體設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)及維護(hù)要求(見(jiàn)5.4);
用于控制操作ESDS元器件、組件和設(shè)備的保護(hù)程序(見(jiàn)5.5);
監(jiān)控保護(hù)區(qū)的持續(xù)有效的質(zhì)量保證方法和程序(見(jiàn)5.11);
進(jìn)行ESD?控制大綱檢查的質(zhì)量保證方法和程序(見(jiàn)5.11、5.12);
?承制方近期訓(xùn)練計(jì)劃(見(jiàn)5.7);

g.ESDS???元器件、組件和設(shè)備的保護(hù)罩和包裝(見(jiàn)5.6和5.10);

為滿足本標(biāo)準(zhǔn)要求所存在的問(wèn)題、對(duì)該類(lèi)問(wèn)題的綜合分析以及采取措施的建議。

5.13??失效分析

當(dāng)合同或訂單要求引用GJB??450中項(xiàng)目104或301時(shí)，失效分析應(yīng)包括ESD?失效模式、?原因及糾正措施的建議。

附??錄??A

靜電放電敏感度分級(jí)試驗(yàn)?(補(bǔ)充件)

A1 ??范囤

A1.1??主題內(nèi)容

本附錄規(guī)定了靜電放電敏感度分級(jí)試驗(yàn)(見(jiàn)5.2.1.1c) 的準(zhǔn)則和程序。

A1.2????適用范圍

本附錄適用于微電子器件靜電放電敏感度分級(jí)試驗(yàn)，其他靜電敏感元器件也可參照使用。

A2 ??元器件適用性要求

A2.1????概述

按本附錄規(guī)定進(jìn)行元器件的ESDS?分級(jí)試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)把試驗(yàn)日期通知訂購(gòu)方，訂購(gòu)方有權(quán)親?自觀看試驗(yàn)和評(píng)審試驗(yàn)數(shù)據(jù)。該分級(jí)試驗(yàn)應(yīng)視為破壞性試驗(yàn)，試驗(yàn)過(guò)的元器件不能作為交貨產(chǎn)?品。

A2.2????分級(jí)試驗(yàn)報(bào)告

分級(jí)試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)符合合同或訂貨單的要求。

A3???設(shè)備

A3.1????試驗(yàn)設(shè)備

靜電放電脈沖模擬器和?DUT?插座應(yīng)符合圖A1 的電路，該電路能產(chǎn)生圖A2 所示特征的?脈沖波形。

圖 A1 ?????ESD分級(jí)試驗(yàn)電路(人體模型)

R1=10?~10?Ω??????R2=1500Ω±1%

C1=100pF±10% ???(絕緣電阻最小為1012Ω)

S1一高壓繼電器(無(wú)抖動(dòng)型，水銀繼電器或等效的繼電器)

S2一普通閉合開(kāi)關(guān)(在脈沖放電和電容測(cè)量時(shí)斷開(kāi))

注：①寄生效應(yīng)對(duì)本模擬電路有強(qiáng)烈的影響?？缃永^電器和電阻端的電容量及線路和各元件上的電感量應(yīng)減至最小。

②為防止C1 瞬時(shí)再充電，在SI 接到充電位置時(shí)，將電源電壓調(diào)小一些。

③在校準(zhǔn)和試驗(yàn)期間，不允許變動(dòng)DUT?插座。

④不允許采用換接模擬器?A、B端來(lái)獲得相反的極性。

⑤CI ?代表了有效電容(見(jiàn)A3.3.2)。

⑥電流探針應(yīng)用雙線屏蔽電纜連接到示波器的502輸入端，電纜長(zhǎng)度不能超過(guò)0.9m

100%

90%

368%

10%???0+

Tri

Tdi

圖?A2???靜電放電敏感度分級(jí)試驗(yàn)電流波形示意圖(人體模型)

注：①電流波形應(yīng)按A4.1 ?規(guī)定的程序來(lái)測(cè)量，所用設(shè)備應(yīng)符合A3.1 ?的要求。

②電流脈沖波形應(yīng)具有下列特征：

Tri????(上升時(shí)間):小于10ns

Tdi ???(衰減時(shí)間):150±20ns

Ip???(峰值電流):表A1?中所選電壓等級(jí)對(duì)應(yīng)的Ip±10% ?范圍內(nèi)。

Ir ???(振蕩電流):衰減應(yīng)平滑，出現(xiàn)的抖動(dòng)、雙時(shí)間常數(shù)或不連續(xù)的值應(yīng)小于Ip?最大值的15%,且脈沖開(kāi)始100ns 后?不應(yīng)觀察到，

A3.2????測(cè)量?jī)x器

儀器包括能檢查模擬器輸出脈沖波形是否符合圖A2 要求的示波器、放大器和電流探針?等。

A3.2.1 ?????示波器和放大器

示波器和放大器組合電路應(yīng)有最小350MHz的帶寬和最低0.25ns/cm??的掃描時(shí)基。?A3.2.2??????電流探針

電流探針應(yīng)有最小350MHz?的帶寬。

A3.2.3??????充電電壓探針

充電電壓探針應(yīng)有最小1000MΩ的輸入電阻和最大4%的分壓比。

A3.3?????校驗(yàn)

周?期?性的?校?驗(yàn)?至?少?應(yīng)?包?括?下?述內(nèi)?容?。

A3.3.1??????充電電壓

顯示模擬器充電電壓的儀表應(yīng)校準(zhǔn)，以指示圖A1?中?C、D 兩點(diǎn)間的實(shí)際電壓，其值見(jiàn)表?A1?的規(guī)定。

表A1模擬器充電電壓(Vs)等級(jí)與峰值電流(Ip)的關(guān)系

級(jí)??別	Vs/V	Ip/A
1	500	0.33
2	1000	0.67
3	2000	1.33
4	4000	2.67

注?：lp?是在電流波形檢驗(yàn)過(guò)程中流過(guò)R??的峰值電流，大約為Vs/1500Ω。

A3.3.2??????有效電容量

把圖A1?中?的C1?充電到特定電壓(見(jiàn)表A1), ?在試驗(yàn)插座無(wú)試驗(yàn)樣品和試驗(yàn)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的?情況下，把C1?所充的電荷放電到圖A1?中?A、B 兩點(diǎn)的靜電計(jì)、庫(kù)侖計(jì)或已校驗(yàn)的電容器來(lái)測(cè)?量有效電容量。在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，有效電容量應(yīng)是100pF±10%, ???有效電容量應(yīng)定期在?1000V ?電壓下進(jìn)行校驗(yàn)(注意：需串聯(lián)一個(gè)電阻來(lái)減慢放電過(guò)程和得到正確的測(cè)量結(jié)果)。必?要時(shí)，可采用其他等效的方法。

A3.3.3??????電流波形

對(duì)表A1?中的每一級(jí)電壓分別按A4.1??所述過(guò)程測(cè)定電流波形，每一級(jí)電壓的電流波形應(yīng)?滿足圖A2?的要求。

A3.4?????鑒定

對(duì)新儀器或經(jīng)過(guò)大修的儀器應(yīng)進(jìn)行驗(yàn)收檢驗(yàn)。檢驗(yàn)應(yīng)包括下述內(nèi)容(但不僅限于此內(nèi)容)。?A3.4.1??????電流波形檢驗(yàn)

以最靠近B 端(見(jiàn)圖A1)?的管腳為參考點(diǎn)，檢驗(yàn)每個(gè)管腳上的電流波形。所有波形均應(yīng)滿?足圖A2 的要求。標(biāo)記出顯示最差波形(接近于臨界極限)的管腳對(duì)，用于?A4.1??所要求的波形?檢查。

A4???程序

A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗(yàn)

為保證模擬器正常工作，進(jìn)行ESD?試驗(yàn)每次換班開(kāi)始或每次改變?cè)囼?yàn)插座/插板后的試?驗(yàn)前均應(yīng)進(jìn)行電流波形檢驗(yàn)。如果模擬器不滿足所有的要求，則最后一次合格檢驗(yàn)后所做的所?有分類(lèi)試驗(yàn)都必須重做。在裝置的最初鑒定和重新鑒定時(shí)，應(yīng)將按A4.1.3～A4.1.5 ?????的要求觀??察到的波形拍攝成照片，作為文件保存以供審查和比較(也可用貯存的數(shù)字化圖象代替照片)。?A4.1.1 ?????把沒(méi)有試驗(yàn)樣品的DUT??插座安裝到模擬器上，在DUT???插座的兩個(gè)管腳孔上跨接?一段短接線，把其中一個(gè)管腳連接到模擬器的A?端，另一個(gè)管腳連接到B 端(見(jiàn)圖A1)。

A4.1.2??把電流探針繞接到靠近B 端的短接線下，將模擬器的充電電壓源?Vs?設(shè)置到符合表?A1 中第4級(jí)的4000V。

A4.1.3 ?????觸發(fā)一個(gè)模擬器脈沖并觀察電流波形的前沿，電流波形應(yīng)滿足圖A2?的上升時(shí)間、峰值電流和減幅振蕩要求。

A4.1.4 ?????再次觸發(fā)模擬器脈沖，并觀察整個(gè)電流波形，脈沖應(yīng)滿足圖A2?的衰減時(shí)問(wèn)和減幅振

蕩要求?。

A4.1.5 ????改變電壓極性(Vs=-4000V), ???????重復(fù)A4.1.3 ??及?A4.1.4 ???過(guò)程。

A4.1.6 ?????檢查模擬器輸出，驗(yàn)證每次觸發(fā)只產(chǎn)生一個(gè)脈沖且電容器C1?充電時(shí)沒(méi)有脈沖輸出。?為觀察再充電的瞬態(tài)過(guò)程，將觸發(fā)器設(shè)置在相反極性，并將示波器的垂直靈敏度提高約10倍，?然后觸發(fā)模擬器。

A4.2????分級(jí)試驗(yàn)

A4.2.1 ?????試驗(yàn)前和試驗(yàn)過(guò)程中每個(gè)器件均應(yīng)保持在室溫。

A4.2.2 ????取一個(gè)試驗(yàn)樣品按表A1?所示的電壓等級(jí)來(lái)確定該器件靜電放電的失效電壓值。對(duì)?帶火花隙保護(hù)的器件，試驗(yàn)必須從表A1?所示的最低電壓級(jí)開(kāi)始，除此之外，試驗(yàn)可從任何電?壓級(jí)開(kāi)始。用圖示儀測(cè)試試樣的輸入或輸出的?V/I??損傷特性或用其他簡(jiǎn)單的試驗(yàn)技術(shù)確認(rèn)電壓值(例如，累積損傷效應(yīng)可能因在失效電壓級(jí)下選用新的樣品重新試驗(yàn)而被忽略，使樣品可?能通過(guò)這一電壓級(jí)的試驗(yàn))。

A4.2.3 ????選取一組三個(gè)試驗(yàn)樣品，按表A1?在低于A4.2.2 ???確定失效電壓值的電壓等級(jí)下進(jìn)??行試驗(yàn)。每個(gè)試驗(yàn)樣品都應(yīng)按表A2?所示的各個(gè)管腳組合進(jìn)行三次正脈沖和三次負(fù)脈沖試驗(yàn)。脈沖間隔最少為1s。

表?A2 ???試驗(yàn)的管腳組合1

	A端(下列各個(gè)管腳依次接?到A端，其他管腳懸空)	B端(所有各類(lèi)同名管腳聯(lián)?在一起接到B端)
1	除Vs外的所有管腳2)	所?有?V?管?腳
2	所有輸入和輸出管腳	所有其他的輸入和輸出管腳

注：①表A2的說(shuō)明見(jiàn)A4.3。

1)不連接的管腳是不被試驗(yàn)的。

2)對(duì)各類(lèi)電源腳和地，重復(fù)管腳組合1的試驗(yàn)(如Vs 是Vbu、Vcc、Vss、VBe、GND.+Vs’、VREF等)。

A4.2.4 ????試驗(yàn)樣品按適用的1和7組進(jìn)行電性能測(cè)試(室溫下的直流參數(shù)和功能參數(shù)測(cè)試)。?A4.2.5 ?????如果有一個(gè)以上的試驗(yàn)樣品失效，用三個(gè)新的試驗(yàn)樣品，在比所用電壓等級(jí)更低的?電壓下重復(fù)A4.2.3???和?A4.2.4。

A4.2.6 ?????如果三個(gè)試驗(yàn)樣品沒(méi)有一個(gè)失效，記下A4.2.2 ??所確定的失效電壓值。

A4.3????試驗(yàn)的管腳組合

A4.3.1 ?????各個(gè)管腳依次接到A?端，相應(yīng)器件的地腳接到B 端。除被試的管腳和地腳外，其它所?有管腳懸空。相應(yīng)各個(gè)不同類(lèi)的所有電源腳(如Vss或?Vs? 或V??或 Vc ?或Vec2聯(lián)在一起接到?B?端。除被試的管腳和電源腳外，其他管腳都懸空。

A4.3.2??????各個(gè)管腳依次接到A 端

A4.3.3??各個(gè)輸入和輸出管腳依次接到A?端，相應(yīng)所有其他輸入和輸出管腳聯(lián)在一起接到B

端。除被試的輸入和輸出管腳以及所有其他輸入和輸出管腳外，其他所有管腳都懸空。

A5 ????說(shuō)?明

下列內(nèi)容應(yīng)在訂貨單或合同中規(guī)定，或在其他場(chǎng)合明確規(guī)定。

A5.1??試驗(yàn)后電性能測(cè)試結(jié)果

A5.2 ????采用的特殊條件或代用的管腳組合。

A5.3?????試樣數(shù)量(試樣不是3個(gè)時(shí))。

附??錄??B???ESDS?元器件? (參考件)

B1??范圍

本附錄確定了適用本標(biāo)準(zhǔn)ESD?控制大綱要求的1、2和3級(jí)元器件。

B2?元器件適用性要求

B2.1 ???適用于本標(biāo)準(zhǔn)的ESDS?元器件列于表B1,?這些元器件根據(jù)元器件類(lèi)型和敏感度范圍來(lái)?分?級(jí)?。

B3???詳細(xì)要求

B3.1????1、2和3級(jí)元器件

表B1?說(shuō)明了1、2和3級(jí)元器件類(lèi)型(見(jiàn)5.2)。這種分級(jí)的依據(jù)是給定元器件類(lèi)型中有代?表性元器件的試驗(yàn)數(shù)據(jù)和報(bào)告。元器件設(shè)計(jì)、加工技術(shù)或保護(hù)電路的差異可能導(dǎo)致元器件不在?表?B1 規(guī)定的范圍內(nèi)。

B3.2????元器件類(lèi)型分級(jí)

必要時(shí)，附錄A(補(bǔ)充件)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)可取代表B1的元器件類(lèi)型分級(jí)。

表?B1???按元器件類(lèi)型列出的ESDS 元器件

1級(jí)：敏感電壓范圍0～1999V?元?器?件?類(lèi)?型

微波器件(肖特基勢(shì)壘二極管、點(diǎn)接觸二極管和其他工作頻率大于1GHz的檢測(cè)二極管

離散型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

聲表面波(SAW)器件

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JEETs)

電荷耦合器件(CCDs)

精密穩(wěn)壓二極管(線或加載電壓穩(wěn)定(0.5%))

運(yùn)算放大器(OP?AMPs)

薄膜電阻器

集成電路

使用1級(jí)元器件的混合電路

超高速集成電路(VHSIC)

環(huán)境溫度100℃時(shí)，?I??<0.175A的晶體閘流管(SCRs)

續(xù)表B1

2級(jí)：敏感電壓范圍2000～3999V?元?器?件?類(lèi)?型

由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為2級(jí)的元器件和微電路?離散型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JEETs)

運(yùn)算放大器(OP?AMPs)

集成電路(ICs)

超高速集成電路(VHSIC)

精密電阻網(wǎng)絡(luò)(R2)

使用2級(jí)元器件的混合電路

低功率雙極型晶體管，P≤100mW,Ic<100mA

3級(jí)：敏感電壓范圍4000～15999V?元?器?件?類(lèi)?型

由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為3級(jí)的元器件和微電路：

離散型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管?運(yùn)算放大器(OP?AMPs)??集成電路(ICs)

超高速集成電路(VHSIC)

所有不包括在1級(jí)或2級(jí)中的其他微電路

Po<1W或I??<1A的小信號(hào)二極管

普通要求的硅整流器

I??>0.175A的晶體閘流管(SCRs)

350mW>Pa>100mWH400mA>I:>100mA的低功率雙極型晶體管

光電器件(發(fā)光二極管、光敏器件、光耦合器)

片狀電阻器

使用3級(jí)元器件的混合電路

壓電晶體

附??錄??C

靜電敏感符號(hào)的顏色和比例尺寸

(補(bǔ)充件)

C1??顏色

靜電敏感符號(hào)可以用與底色有明顯對(duì)比的任何顏色單色標(biāo)注。?建議在黃色底上采用黑色的符號(hào)；盡量避免采用紅色。

C2???比例尺寸

如果標(biāo)記位置允許，應(yīng)按圖Cla??所示的基本符號(hào)進(jìn)行標(biāo)注。?需要時(shí)，也可以采用圖C1b?所示的按比例縮小的簡(jiǎn)化符號(hào)。

圖?Cla??????基本符號(hào)

圖?C1b??按比例縮小的簡(jiǎn)化符號(hào)

附加說(shuō)明：

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子工業(yè)總公司提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所、電子基礎(chǔ)產(chǎn)品裝備公司起草。??本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：方麗娜、徐云、林文荻、王瑞鋒、穆祥鎮(zhèn)、李自強(qiáng)。

計(jì)劃項(xiàng)目代號(hào)：90151。

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電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱

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